高频å˜åŽ‹å™¨æ ¹æ®å…¶å·¥ä½œé¢‘率的分类介ç»?/h3>
æ–‡ç« å‡ºå¤„ï¼?a href="">深圳市晨飞电å有é™å…¬å?/a>网责任编辑:NSW作者:NSW人气ï¼?span
id="cntrHits">-å‘表时间ï¼?015-06-23 13:53:00
  高频å˜åŽ‹å™¨æ˜¯å·¥ä½œé¢‘率超过ä¸é¢‘(10kHz)的电æºå˜åŽ‹å™¨ï¼Œä¸»è¦ç”¨äºŽé«˜é¢‘开关电æºä¸ä½œé«˜é¢‘开关电æºå˜åŽ‹å™¨ï¼Œä¹Ÿæœ‰ç”¨äºŽé«˜é¢‘逆å˜ç”µæºå’Œé«˜é¢‘逆å˜ç„Šæœºä¸ä½œé«˜é¢‘逆å˜ç”µæºå˜åŽ‹å™¨çš„ã€‚æ ¹æ®å…¶å·¥ä½œé¢‘率,我们将高频å˜åŽ‹å™?/a>åˆ†ä¸ºä»¥ä¸‹å‡ ç±»ï¼?/span>
  一ã€æŒ‰é¢‘率范围分为
  1. kHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率åœ?0kHzè‡³å‡ ç™¾kHz的高频å˜åŽ‹å™¨;
  2. MHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率åœ?MHz以上的高频å˜åŽ‹å™¨ã€?/span>
  二�按工作频带分�/span>
  1. å•é¢‘或窄频级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率为å•é¢‘或是一个很窄的频段,如å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€æŒ¯è¡å™¨å˜åŽ‹å™¨ç‰;
  2. 宽频带å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œåœ¨ä¸€ä¸ªå¾ˆå®½é¢‘率范围内的å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå¦‚阻抗å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€é€šè®¯å˜åŽ‹å™¨ã€å®½å¸¦åŠŸçŽ‡æ”¾å¤§å™¨å˜åŽ‹å™¨ç‰ã€?/span>
  高频å˜åŽ‹å™¨ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”较大的情况下,功率器件一般采ç”?IGBT,由于IGBTå˜åœ¨å…³æ–电æµæ‹–尾现象,所以工作频率比较低;ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”较å°çš„a,å¯ä»¥é‡‡ç”¨MOSFET,工作频率就比较高ã€?/span>
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  高频å˜åŽ‹å™¨æ˜¯å·¥ä½œé¢‘率超过ä¸é¢‘(10kHz)的电æºå˜åŽ‹å™¨ï¼Œä¸»è¦ç”¨äºŽé«˜é¢‘开关电æºä¸ä½œé«˜é¢‘开关电æºå˜åŽ‹å™¨ï¼Œä¹Ÿæœ‰ç”¨äºŽé«˜é¢‘逆å˜ç”µæºå’Œé«˜é¢‘逆å˜ç„Šæœºä¸ä½œé«˜é¢‘逆å˜ç”µæºå˜åŽ‹å™¨çš„ã€‚æ ¹æ®å…¶å·¥ä½œé¢‘率,我们将高频å˜åŽ‹å™?/a>åˆ†ä¸ºä»¥ä¸‹å‡ ç±»ï¼?/span>
  一ã€æŒ‰é¢‘率范围分为
  1. kHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率åœ?0kHzè‡³å‡ ç™¾kHz的高频å˜åŽ‹å™¨;
  2. MHz级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率åœ?MHz以上的高频å˜åŽ‹å™¨ã€?/span>
  二�按工作频带分�/span>
  1. å•é¢‘或窄频级高频å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œé¢‘率为å•é¢‘或是一个很窄的频段,如å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€æŒ¯è¡å™¨å˜åŽ‹å™¨ç‰;
  2. 宽频带å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå®ƒæ˜¯æŒ‡å·¥ä½œåœ¨ä¸€ä¸ªå¾ˆå®½é¢‘率范围内的å˜åŽ‹å™¨ï¼Œå¦‚阻抗å˜æ¢å™¨å˜åŽ‹å™¨ã€é€šè®¯å˜åŽ‹å™¨ã€å®½å¸¦åŠŸçŽ‡æ”¾å¤§å™¨å˜åŽ‹å™¨ç‰ã€?/span>
  高频å˜åŽ‹å™¨ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”较大的情况下,功率器件一般采ç”?IGBT,由于IGBTå˜åœ¨å…³æ–电æµæ‹–尾现象,所以工作频率比较低;ä¼ é€åŠŸçŽ‡æ¯”较å°çš„a,å¯ä»¥é‡‡ç”¨MOSFET,工作频率就比较高ã€?/span>