高频å˜åŽ‹å™¨çš„三明治绕法介ç»?/h3>
æ–‡ç« å‡ºå¤„ï¼?a href="">深圳市晨飞电å有é™å…¬å?/a>网责任编辑:NSW作者:NSW人气ï¼?span
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高频å˜åŽ‹å™?/a>的两ç§åŸºæœ¬ç»•æ³•ï¼šé¡ºåºç»•æ³•å’Œä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³•ã€‚顺åºç»•æ³•ä¸€èˆ¬çš„å•è¾“出电æºï¼Œå˜åŽ‹å™¨åˆ†ä¸?span lang="EN-US">3个绕组,åˆçº§ç»•ç»„Np,次级绕组Ns,辅助电æºç»•ç»„Nb,绕制的顺åºæ˜¯ï¼šNp--Ns--Nb。æ¤ç§ç»•æ³•å·¥è‰ºç®€å•ï¼Œæ˜“于控制ç£èŠ¯çš„å„ç§å‚数,一致性较好,绕线æˆæœ¬ä½Žï¼Œé€‚用于大批é‡çš„生产,但æ¼æ„Ÿç¨å¤§ï¼Œè€Œè€¦åˆç”µå®¹å°ï¼ŒEMI比较好故适用于对æ¼æ„Ÿä¸æ•æ„Ÿçš„å°åŠŸçŽ‡åœºåˆï¼Œä¸€èˆ¬åŠŸçŽ‡å°äº?span lang="EN-US">30~40W的电æºä¸æ™®é实用这ç§ç»•æ³•ã€?/span>
三明治绕法在电æºå˜åŽ‹å™¨çš„制作过程ä¸æ˜¯ä¸€ç§æ¯”较常è§çš„基础绕法。由于被夹在ä¸é—´çš„绕组ä¸åŒï¼Œä¸‰æ˜Žæ²»åˆåˆ†ä¸ºä¸¤ç§ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§ã€‚下é¢æˆ‘们æ¥åˆ†åˆ«ä»‹ç»ã€?span lang="EN-US">
首先我们æ¥çœ‹ç¬¬ä¸€ç§å¸¸è§çš„高频电æºå˜åŽ‹å™¨ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§çš„绕法。这ç§ç»•æ³•åœ¨å¹³æ—¶çš„实际æ“作过程ä¸ä¹Ÿè¢«å«åšåˆçº§å¹³å‡ç»•æ³•ï¼?
在使用这ç§åˆçº§å¹³å‡ç»•æ³•è¿›è¡Œç”µæºå˜åŽ‹å™¨çš„ç»•åˆ¶æ—¶ï¼Œå…¶å…·ä½“ç»•åˆ¶è¿‡ç¨‹å¦‚ä¸Šå›¾æ‰€å±•ç¤ºçš„æ ·å,æ“作顺åºä¸?span lang="EN-US">Np/2-Ns-Np/2-Nbã€?/span>
接下æ¥æˆ‘们æ¥çœ‹ä¸€ä¸‹é«˜é¢‘电æºå˜åŽ‹å™¨çš„第二ç§ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³•ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§çš„绕法。这一绕法有时候也被å«åšæ¬¡çº§å¹³å‡ç»•æ³•ï¼Œå…¶ç»•åˆ¶åŽŸç†å›¾å¦‚下图图2所示,当使用这一 绕制方法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„绕制时,绕制顺åºä¸?span lang="EN-US">Ns/2-Np-Ns/2-Nb。当输出是低压大电æµæ—¶ï¼Œä¸€èˆ¬é‡‡ç”¨æ¤ç§ç»•æ³•å±…多ã€?/span>
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2ã€æ”¹å–?span lang="EN-US">EMI:由MOSFET与散çƒç‰‡å¼•èµ·çš„共模干扰电æµä¹Ÿå¯ä»¥é™ä½Žï¼Œä»Žè€Œæ”¹å–?span lang="EN-US">EMI;由于在åˆçº§ä¸é—´åŠ 入了一个次级绕组,所以å‡å°‘了å˜åŽ‹å™¨åˆçº§çš„层间分布电容,而层间电容的å‡å°‘,就会使电路ä¸çš„寄生振è¡å‡å°‘,åŒæ ·å¯ä»¥é™ä½?span lang="EN-US">MOSFET与次级整æµç®¡çš„电压电æµåº”力,改善EMIã€?/span>
以上就是å°ç¼–为大家总结的关äº?/span>高频å˜åŽ‹å™¨çš„三明治绕æ³?/span>的介ç»ï¼Œå¸Œæœ›èƒ½å¤Ÿå¸®åˆ°å¤§å®¶ï¼Œå¦‚果还想了解更多的高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯,那就点å‡?/span>高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯å§ï¼
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高频å˜åŽ‹å™?/a>的两ç§åŸºæœ¬ç»•æ³•ï¼šé¡ºåºç»•æ³•å’Œä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³•ã€‚顺åºç»•æ³•ä¸€èˆ¬çš„å•è¾“出电æºï¼Œå˜åŽ‹å™¨åˆ†ä¸?span lang="EN-US">3个绕组,åˆçº§ç»•ç»„Np,次级绕组Ns,辅助电æºç»•ç»„Nb,绕制的顺åºæ˜¯ï¼šNp--Ns--Nb。æ¤ç§ç»•æ³•å·¥è‰ºç®€å•ï¼Œæ˜“于控制ç£èŠ¯çš„å„ç§å‚数,一致性较好,绕线æˆæœ¬ä½Žï¼Œé€‚用于大批é‡çš„生产,但æ¼æ„Ÿç¨å¤§ï¼Œè€Œè€¦åˆç”µå®¹å°ï¼ŒEMI比较好故适用于对æ¼æ„Ÿä¸æ•æ„Ÿçš„å°åŠŸçŽ‡åœºåˆï¼Œä¸€èˆ¬åŠŸçŽ‡å°äº?span lang="EN-US">30~40W的电æºä¸æ™®é实用这ç§ç»•æ³•ã€?/span>
三明治绕法在电æºå˜åŽ‹å™¨çš„制作过程ä¸æ˜¯ä¸€ç§æ¯”较常è§çš„基础绕法。由于被夹在ä¸é—´çš„绕组ä¸åŒï¼Œä¸‰æ˜Žæ²»åˆåˆ†ä¸ºä¸¤ç§ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§ã€‚下é¢æˆ‘们æ¥åˆ†åˆ«ä»‹ç»ã€?span lang="EN-US">
首先我们æ¥çœ‹ç¬¬ä¸€ç§å¸¸è§çš„高频电æºå˜åŽ‹å™¨ç»•æ³•ï¼Œå³åˆçº§å¤¹æ¬¡çº§çš„绕法。这ç§ç»•æ³•åœ¨å¹³æ—¶çš„实际æ“作过程ä¸ä¹Ÿè¢«å«åšåˆçº§å¹³å‡ç»•æ³•ï¼?
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接下æ¥æˆ‘们æ¥çœ‹ä¸€ä¸‹é«˜é¢‘电æºå˜åŽ‹å™¨çš„第二ç§ä¸‰æ˜Žæ²»ç»•æ³•ï¼Œæ¬¡çº§å¤¹åˆçº§çš„绕法。这一绕法有时候也被å«åšæ¬¡çº§å¹³å‡ç»•æ³•ï¼Œå…¶ç»•åˆ¶åŽŸç†å›¾å¦‚下图图2所示,当使用这一 绕制方法进行电æºå˜åŽ‹å™¨çš„绕制时,绕制顺åºä¸?span lang="EN-US">Ns/2-Np-Ns/2-Nb。当输出是低压大电æµæ—¶ï¼Œä¸€èˆ¬é‡‡ç”¨æ¤ç§ç»•æ³•å±…多ã€?/span>
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2ã€æ”¹å–?span lang="EN-US">EMI:由MOSFET与散çƒç‰‡å¼•èµ·çš„共模干扰电æµä¹Ÿå¯ä»¥é™ä½Žï¼Œä»Žè€Œæ”¹å–?span lang="EN-US">EMI;由于在åˆçº§ä¸é—´åŠ 入了一个次级绕组,所以å‡å°‘了å˜åŽ‹å™¨åˆçº§çš„层间分布电容,而层间电容的å‡å°‘,就会使电路ä¸çš„寄生振è¡å‡å°‘,åŒæ ·å¯ä»¥é™ä½?span lang="EN-US">MOSFET与次级整æµç®¡çš„电压电æµåº”力,改善EMIã€?/span>
以上就是å°ç¼–为大家总结的关äº?/span>高频å˜åŽ‹å™¨çš„三明治绕æ³?/span>的介ç»ï¼Œå¸Œæœ›èƒ½å¤Ÿå¸®åˆ°å¤§å®¶ï¼Œå¦‚果还想了解更多的高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯,那就点å‡?/span>高频å˜åŽ‹å™?/span>资讯å§ï¼